第1369章 znote5的探索版 (第2/3页)
半导体行业最难熬的工艺断代期，稳一点是对的。”
至于为什么不在CPU制程上直接一步到位冲上最新的20nm工艺？
这里头就不得不提到整个全球智能手机行业，在2014年到2015年即将迎来的那场至暗时刻了。
对于全球所有的芯片设计公司和手机厂商而言，2014年和2015年，注定是极其难熬的两年。
原因很简单，摩尔定律在平面晶体管时代，已经彻底撞上物理极限的南墙了。
统治了行业两年的28nm HPM工艺，潜力已经被榨干到了极致。
如果继续在28nm上强行拉高核心主频、堆砌晶体管数量，必然会导致严重的栅极漏电现象，随之而来的就是功耗失控、发热爆炸。
为了突破28nm的限制，TSMC今年确实量产了全新的20nm平面工艺。
水果下半年的A8芯片，以及高通那边正在紧锣密鼓筹备的骁龙810，全都一窝蜂地扑向了台积电的20nm产线。
但只有真正经历过这一切的陈星清楚，20nm的平面工艺，完全就是一个彻头彻尾的半吊子陷阱！
在没有引入三维立体结构之前，20nm平面工艺的绝缘层非常薄，电子隧穿效应带来的静态漏电比28nm还要恐怖得多。
稍微一跑高负载任务，芯片核心温度瞬间就飙升，紧接着就是疯狂降频锁核。
前世高通的骁龙810为什么会化身“火龙”，在2015年把一众安卓旗舰机型烧得尸横遍野？
罪魁祸首就是TSMC这代不成熟的20nm平面工艺！
（当然，这里有点绝对了，还有核心，强行64位等因素。）
目前整个半导体行业，其实都在苦苦等待台积电和三星16nm/14nm FinFET的3D立体工艺能够真正走向成熟量产。
在这段青黄不接的真空期里，对红星而言同样是比较难过的。
所以在陈星的亲自干预下，陆教授的团队放弃了去趟20nm平
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